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：半导体硅片清洗工艺

         我司开发的成熟工艺设备


：半导体清洗机

、硅片腐蚀清洗机
、半导体硅（芯）片清洗机



、全自动硅片清洗机、晶片清洗机


、超声波清洗机



、分立器件清洗机、硅片光刻清洗机








、RCA腐蚀机






、砷化镓清洗机等

。设备均采用磁白PP板经雕刻后热弯/焊接而成
。该设备适用于2—12英寸硅晶圆片的清洗腐蚀,工艺过程全自动
，由机械臂负责工件在槽体间的转换
。人机界面为触摸屏

，方便直观

。

湿化学法清洗的原理

         湿化学法清洗主要是利用溶液
、酸碱
、表面活性剂、水及其混合物


，通过腐蚀

、溶解





、化学反应等方法，实现某种功能要求或去除晶片表面的沾污物
。

湿化学清洗工艺技术

RCA清洗

         RCA清洗工艺称为工业标准湿法清洗工艺，由美国无线电（RCA）公司于20世纪60年代提出
。主要有一系列有序侵入不同的化学液组成，即1号标准液（SC1）和2号标准液（SC2）
。1号标准液化学配料为：NH4OH

：H2O2

：H2O(1:1:5)



，2号标准液化学配料为
：HCL
：H2O2
：H2O(1:1:6)
，通常使用加热到75～85℃。
         由于RCA清洗使用了大量的化学液
，因此实际应用已经对RCA清洗做了改进，即稀释化学液

，SC1化学液比例为1:4:50而代替传统的1:1:5
。稀释化学液在使用中对人体健康及安全有很大的改良
，而且因减少了化学液的使用，降低了工厂成本及对环境的污染
，下表为典型湿法清洗工艺流程











。